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元件参数资料
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参数目录34273
> PDTC123JT,235 TRANS NPN W/RES 50V SOT-23
型号:
PDTC123JT,235
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
TRANS NPN W/RES 50V SOT-23
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
PDTC123JT,235 PDF
产品目录绘图
SOT-23 Package Top
PDTC1(2,4)xx(T,E) Series Circuit
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)
2.2k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)
47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
100 @ 10mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
100mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大)
1µA
频率 - 转换
-
功率 - 最大
250mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
TO-236AB
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1506 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
568-2154-1
查看PDTC123JT,235代理商
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